长鑫存储启动 HBM3E 风险试产，有望数周内进入大规模量产
Miranda 据《The Information》报道，长鑫存储已启动 HBM3E 内存的风险试产工作。目前该产品的生产规模仍然有限，说明其刚刚进入风险试产阶段。与此同时，长鑫存储计划扩大产能，预计到今年年底，其 DRAM 制造能力将达到每月 35 万片晶圆，未来几年还将继续提高。
长鑫存储尚未公布 HBM3E 的具体规格，但根据 JEDEC 规范，HBM3E 应采用 1024-bit 位宽，单引脚速率介于 9.2Gbps 至 12.4Gbps 之间，大多数标准配置的目标速率为 9.6Gbps。在 9.6Gbps 的典型配置下，HBM3E 的总带宽可达 1.2TB/s。
就堆叠容量而言，采用 8 层堆叠、单层 24Gb DRAM 芯片时，单个堆栈容量为 24GB；采用 12 层堆叠时，容量可达 36GB。长鑫存储此前已具备从风险试产快速过渡到大规模量产的能力，因此其 HBM3E 有可能在数周内进入大规模量产阶段。
此外，长鑫存储在晶圆厂洁净室建设速度方面拥有明显优势。其建设一座晶圆厂洁净室仅需 12 个月，而其他厂商通常需要两年。
