长鑫科技拟使用超募资金投建技术研发及DRAM测试基地项目
Miranda 长鑫科技9月28日晚间公告，计划使用部分超募资金建设新项目。其中，公司拟投入超募资金130亿元新建技术研发项目，项目总投资金额241亿元，建设周期30个月。同时，公司拟通过增资和借款方式，向全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司提供超募资金50亿元，由其投资新建存储器晶圆后道测试基地二期项目，该项目总投资金额108亿元，建设周期37个月。
根据公告，存储器晶圆后道测试基地二期项目计划建设一座测试工厂，为DRAM存储芯片提供测试以及模组组装。长鑫科技表示，测试是DRAM生产中不可缺少的环节，相关设备具有专用性。随着公司产能提升、产品种类增多，外部封测厂可能出现测试产能不足或配套投入不足的情况。公司认为，增加自建测试产能可以避免测试环节成为产能瓶颈，并保障供应链安全。
长鑫科技还表示，通过自建存储器晶圆后道测试和模组项目，能够更灵活协调测试产能利用，降低DRAM芯片测试成本，提升运营效率和测试技术，有利于公司进一步完善IDM模式、增强整体竞争力。
